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Infineon Technologies IPAN60R800CEXKSA1
| Artikelnummer: | IPAN60R800CEXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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| 10+ | $1.076 |
| 100+ | $0.8387 |
| 500+ | $0.6929 |
| 1000+ | $0.547 |
| 2000+ | $0.5105 |
| 5000+ | $0.485 |
| 10000+ | $0.4668 |
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Infineon Technologies IPAN60R800CEXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPAN60R800CEXKSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP Serie CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2A, 10V Verlustleistung (max) 27W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Paket Tube Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 373 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.4A (Tc) Grundproduktnummer IPAN60 IPAN60R800CEXKSA1 Einzelheiten PDF [English] IPAN60R800CEXKSA1 PDF - EN.pdf -
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